Да
Нет, выбрать свой

AMG Power анонсировала SiC MOSFET транзистор нового поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7.

SiC MOSFET Gen3 AMG5N1700MT7

Основные параметры SiC AMG5N1700MT7:

  • напряжение сток-исток: 1700 В
  • ток (при 25°C): 5 A
  • Rds(On): 750 мОм
  • напряжение затвор-исток: -5/+15 В
  • тип корпуса: TO-263-7
  • суммарный заряд затвора: 11 нКл
  • максимальная температура перехода: 150 °C
  • выходная емкость: 12 пФ
  • рассеиваемая мощность: 60 Вт

Применение транзистора AMG5N1700MT7:

  • преобразователи собственных нужд электротранспорта
  • импульсные источники питания

Преимущества AMG5N1700MT7:

  • повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
  • позволяет работать на высокой частоте переключения
  • улучшает плотность мощности на уровне системы
  • уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
  • удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)

По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783 или через форму «Задать вопрос» на нашем сайте.

Упоминаемые производители

Подписка на новости