Карбид-кремниевые МОП-транзисторы (SiC MOSFET) 1700 В третьего поколения Gen3 от AMG Power

AMG Power анонсировала карбид-кремниевые МОП-транзисторы (SiC MOSFET) нового 3-го поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7.

Основные параметры карбид-кремниевые МОП-транзистора (SiC MOSFET) AMG5N1700MT7:

• напряжение сток-исток: 1700 В
• ток (при 25°C): 5 A
• Rds(On): 750 мОм
• напряжение затвор-исток: -5/+15 В
• тип корпуса: TO-263-7
• суммарный заряд затвора: 11 нКл
• максимальная температура перехода: 150 °C
• выходная емкость: 12 пФ
• рассеиваемая мощность: 60 Вт

Применение транзистора AMG5N1700MT7:

• преобразователи собственных нужд электротранспорта
• импульсные источники питания

Преимущества карбид-кремниевые МОП-транзистора (SiC MOSFET) - AMG5N1700MT7:

• повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
• позволяет работать на высокой частоте переключения
• улучшает плотность мощности на уровне системы
• уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
• удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)

По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783 или через форму «Задать вопрос» на нашем сайте.