Семейство SiC MOSFET 1700 В третьего поколения Gen3 от AMG Power
25 сентября 2023
AMG Power выпустила семейство SiC MOSFET транзисторы нового поколения Gen3 1700 В с управляющим напряжением -5/+15 В.
Доступны транзисторы в корпусах типа ТО, а также чипы:
UDS, В | Наименование | ID, А | RDS(ON), мОм | UGS, В | Корпус |
1700 | A3G1N1700MF3 | 1 | 5000 | 15 | TO-220F |
A3G1N1700MB | 1 | 5000 | 15 | Чип | |
A3G5N1700MT3 | 5 | 1000 | 12 | TO-247-3 | |
AMG5N1700MT7 | 5 | 1000 | 12 | TO-263-7 | |
A3G5N1700MB | 5 | 1000 | 12 | Чип | |
AMG100N1700MT3 | 100 | 25 | 15 | TO-247-3 | |
A3G100N1700MT4 | 100 | 25 | 15 | TO-247-4 | |
AMG100N1700MB | 100 | 25 | 15 | Чип |
Применение SiC MOSFET транзисторов:
- преобразователи собственных нужд электротранспорта
- импульсные источники питания
Преимущества:
- повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
- позволяет работать на высокой частоте переключения
- улучшает плотность мощности на уровне системы
- уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
- удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)
По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783, или через форму «Задать вопрос» на сайте.