Да
Нет, выбрать свой

Компания SUNCOYJ расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-247PLUS. Ассортимент включает в себя изделия с пробивным напряжение Коллектор-Эмиттер 1200 В. Диапазон токов от 40 до 75 А. Основным применение являются высокочастотные устройства, такие как фотоэлектрические инверторы, накопители энергии, зарядные станции и т. д. Новые IGBT способны заменить дефицитные компоненты глобальных производителей без дополнительной переработки устройства. Соответствует стандартам RoHS.

IGBT транзисторы в корпусах TO-247 и TO-247PLUS

Основные особенности новых IGBT транзисторов:

  1. структура Trench-FS имеет улучшенной соотношение блокирующего напряжения и напряжения насыщения
  2. максимальная температура перехода Tjmax=175 ℃
  3. высокие характеристики эффективности с низким Vce (sat) и низкими потерями переключения, подходят для устройств новой энергетики
  4. встроенный антипараллельный сверхбыстрый диод с «мягкой» характеристикой восстановления.

Перспективные модели представлены в таблице ниже:

Наименование VCES мин.(V) IC @ TC=80℃(A) VCE(sat)тип.(V) Eoff typ.Tj=25℃(mJ) Корпус
DGW40N120CTH1A 1200 40 1.8 1.2 TO-247
DGQ40N120CTH1A 1200 40 1.8 1.2 TO-247 PLUS
DGQ75N120CTH1B 1200 75 2.0 2.5 TO-247 PLUS

Макро Групп является официальным дистрибьютором SUNCOYJ в России и странах СНГ.

Для заказа продукции SUNCOYJ и получения технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» на сайте или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 750.

Упоминаемые производители

Подписка на новости