Распределенный GaN-усилитель диапазона 1–8 ГГц с использованием трехпортового трансформатора. Статья
3 ноября 2017
В разделе «Информация» нашего сайта размещена статья, в которой описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм. В этом процессе используется 100‑мм SiC‑подложка и компактное расположение транзисторов с отдельными сквозными отверстиями для истоков. Топология усилителя допускает неравномерную нагрузку c трехпортовым трансформатором на выходе. Двухкаскадный усилитель обеспечивает выходную мощность 9,3–13,1 Вт в диапазоне 1–8 ГГц с КПД выше 29%.
Авторы:
- Чарльз Ф. Кэмпбелл(Charles F. Campbell)
- Майкл Д. Роберг (Michael D. Roberg)
- Джонатан Файн(Jonathan Fain)
- Сабьясачи Найяк (Sabyasachi Nayak)
Перевод: Г.В. Кон.
Первоначально статья была опубликована в журнале «СВЧ-электроника» №3 2017 г.