Подложки из оксида галлия Ga2O3 от PAM-Xiamen
Компания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства подложек из монокристаллического полупроводникового оксида галлия бета-формы β-Ga2O3.
Оксид галлия (Ga2O3) - полупроводниковый материал четвёртого поколения, который в будущем сможет заменить широкозонные полупроводники третьего поколения – карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). По сравнению с SiC и GaN, β-Ga2O3 имеет ряд преимуществ и потенциально будет использоваться в силовой и ВЧ/СВЧ-электронике.
Для заказа доступны следующие спецификации монокристаллического полупроводникового β-Ga2O3:
Параметры | Спецификация 1 | Спецификация 2 | Спецификация 3 | Спецификация 4 | Спецификация 5 |
---|---|---|---|---|---|
Ориентация, град. | <010> +/-1 | <010> +/-1 | <010> +/-1 | <100> +/-1 | <-201> +/-0,7 |
Размер, мм | Ø1″ × 0,35 | 10 × 10 × 0,35 | 5 × 5 × 0,35 | 10 × 10 × 0,7-0,8 | 10 × 10 × 0,6 |
Тип проводимости | Полуизолирующая, легированная Fe | Полуизолирующая, легированная Fe | Полуизолирующая, легированная Fe | N-type | N-type/Sn-doped |
Уровень легирования (Fe) | ~5E17 (SIMS) | ~5E17 (SIMS) | ~5E17 (SIMS) | - | - |
Удельное сопротивление, Ом*см | - | - | - | <=0,2 | - |
Качество рабочей стороны | Epi-ready, RMS <0,5 нм | Epi-ready, RMS <0,5 нм | Epi-ready, RMS <0,5 нм | Односторонняя полировка, шероховатость <5 А | Односторонняя полировка, шероховатость <5 А |
Качество обратной стороны | Оптическая полировка | Оптическая полировка | Оптическая полировка | - | - |
Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции PAM-Xiamen в РФ.
По техническим вопросам и заказам напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 783.