InnoSwitch3 до 100 Вт c интегрированным GaN MOSFET от Power Integrations
Новые микросхемы позволяют достичь эффективности 95% во всем диапазоне нагрузок и получить максимальную мощность до 100 Вт в закрытом корпусе без радиаторов. Такой прорыв в развитии источников питания стал возможен благодаря использованию встроенного высоковольтного транзистора, изготовленного по технологии GaN.
Квазирезонансные микросхемы для источников питания InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP и InnoSwitch3-PRO объединяют в себе первичную и вторичную цепь и цепь обратной связи в монолитном СМД корпусе. В новых выпущенных микросхемах применяется GaN транзистор вместо традиционных кремниевых высоковольтных транзисторов в первичной цепи. Смена технологии транзистора уменьшает потери на проводимость, и значительно уменьшает потери на переключения при работе транзистора. Как результат, значительно снижаются потери и, как результат, повышается мощность, выделяемая на компактном корпусе INSOP-24D.
Целевыми сферами применения являются высокоэффективные обратноходовые преобразователи типа USB-PD, зарядные устройства мобильных устройств, телевизионные приставки, дисплеи, бытовая техника, сетевые устройства и игровые консоли. Новые микросхемы обеспечивают точную регулировку CV/CC/CP вне зависимости от внешних компонентов, и имеют поддержку протоколов быстрых ЗУ. Параметры приборов InnoSwitch3-CP и InnoSwitch3-EP конфигурируются в момент изготовления, а InnoSwitch3-PRO позволяет конфигурировать параметры микросхем программно через интерфейс I2C.
Макро Групп является официальным дистрибьютором Power Integrations на территории СНГ и РФ.
Для заказа образцов напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.
Power Integrations, Inc является ведущим инноватором в области разработки и производства полупроводниковых микросхем для источников питания. Продукты компании являются основными элементами в построении экологичных и энергоэффективных систем, мощностью от милливатт до мегаватт.
