HQ NAND Flash на 512 Мбит и 1 Гбит от Winbond
Компания Winbond Electronics представила новые микросхемы NAND Flash HQ (High Quality) плотностью 512 Мбит (64 Мбайт) и 1 Гбит (128 Мбайт) повышенной надежности для хранения кода в критически важных приложениях – W25N512G и W25N01G.
Ключевые характеристики и преимущества HQ NAND Flash W25N512G и W25N01G:
- напряжение питания: 1,8 В и 3 В
- техпроцесс: 46-нм
- высокая масштабируемость
- надежность на уровне NOR Flash
Новые высокопроизводительные NAND Flash микросхемы отличаются повышенной длительностью хранения данных и позволяют использовать их в автономных системах управления, обычно требующих высокой плотности 512 Мбит и более низкой цены за бит, чем NOR Flash. Это стало возможным благодаря реализации процессов производства и тестирования на 46-нм, что помогло обеспечить более высокое количество электронов на ячейку и, тем самым, увеличить время хранения данных. Изменение техпроцесса помогло обеспечить новым NAND Flash HQ надежность на уровне NOR Flash.
HQ NAND Flash сохраняет данные в течение 25 лет при рабочей температуре 85°C за 100 циклов записи/стирания; и в течение 15 лет при температуре 70°C после 10 000 циклов записи/стирания.
W25N512G и W25N01G являются пин-совместимыми с семейством SPI NOR Flash на 256 Мбит (32 Мбайт) от Winbond, что упрощает процедуру миграции с одного семейства на другое.
В планах Winbond Electronics продолжить масштабирование NAND Flash путем перехода на 32-нм процесс, что повлечет за собой еще более низкую цену за бит.
Образцы новых HQ NAND Flash на 512 Мбит (W25N512G) и на 1 Гбит (W25N01G) доступны заказчикам по всему миру, в том числе в России.
Макро Групп является официальным партнером Winbond Electronics Corporation на территории России.
Для заказа бесплатных образцов, получения дополнительной информации и технической поддержки напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05 доб. 775.
