GaN структуры синих лазерных диодов от PAM-Xiamen

Компания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства структур синих лазерных диодов на квантовых точках на основе нитрида галлия (GaN).

Синие лазерные диоды имеют различные области применения: создание мощных синих лазерных указок, специальных лазерных модулей, медицинских лазеров, лазерных проекторов.

Характеристики GaN эпитаксиальных структур синих лазерных диодов на квантовых точках:

длина волны: 440-460 нм
подложка кремниевая Si: диаметр 50,8 ±0,2 мм, толщина 430 ±30 мкм
структура слоев, MOCVD метод:
- контактный слой: GaN p-типа
- слой сверхрешётки: GaN p-типа
- слой блокировки электронов: p-AlGaN
- волноводный слой: нелегированный InGaN
- QW и QB слой: InGaN и GaN
- волноводный слой: n-InGaN
- покрывающий слой: n - AlGaN

Доступны другие параметры длин волн, размеров и эпитаксиальных слоев.

Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции PAM-Xiamen в РФ.

По техническим вопросам и заказам, напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.

Задать вопрос

OLED дисплей 2,08’’ 256x64 от Raystar Подложки, тигли и другие изделия из пиролитического нитрида бора (PBN) от PAM-Xiamen

Array ( [AJAX_MODE] => Y [AJAX_OPTION_ADDITIONAL] => [AJAX_OPTION_HISTORY] => N [AJAX_OPTION_JUMP] => N [AJAX_OPTION_STYLE] => Y [CACHE_TIME] => 3600 [CACHE_TYPE] => N [CHAIN_ITEM_LINK] => [CHAIN_ITEM_TEXT] => [EDIT_ADDITIONAL] => N [EDIT_STATUS] => N [IGNORE_CUSTOM_TEMPLATE] => N [NOT_SHOW_FILTER] => Array ( [0] => [1] => ) [NOT_SHOW_TABLE] => Array ( [0] => [1] => ) [SEF_MODE] => N [SHOW_ADDITIONAL] => N [SHOW_ANSWER_VALUE] => N [SHOW_EDIT_PAGE] => N [SHOW_LIST_PAGE] => N [SHOW_STATUS] => N [SHOW_VIEW_PAGE] => Y [START_PAGE] => new [SUCCESS_URL] => [USE_EXTENDED_ERRORS] => N [VARIABLE_ALIASES] => Array ( [WEB_FORM_ID] => WEB_FORM_ID [RESULT_ID] => RESULT_ID [action] => action ) [WEB_FORM_ID] => 3 [AJAX_ID] => ef7e02adfcc378dd08afa084fd53771e [~AJAX_MODE] => Y [~AJAX_OPTION_ADDITIONAL] => [~AJAX_OPTION_HISTORY] => N [~AJAX_OPTION_JUMP] => N [~AJAX_OPTION_STYLE] => Y [~CACHE_TIME] => 3600 [~CACHE_TYPE] => N [~CHAIN_ITEM_LINK] => [~CHAIN_ITEM_TEXT] => [~EDIT_ADDITIONAL] => N [~EDIT_STATUS] => N [~IGNORE_CUSTOM_TEMPLATE] => N [~NOT_SHOW_FILTER] => Array ( [0] => [1] => ) [~NOT_SHOW_TABLE] => Array ( [0] => [1] => ) [~RESULT_ID] => [~SEF_MODE] => N [~SHOW_ADDITIONAL] => N [~SHOW_ANSWER_VALUE] => N [~SHOW_EDIT_PAGE] => N [~SHOW_LIST_PAGE] => N [~SHOW_STATUS] => N [~SHOW_VIEW_PAGE] => Y [~START_PAGE] => new [~SUCCESS_URL] => [~USE_EXTENDED_ERRORS] => N [~VARIABLE_ALIASES] => Array ( [WEB_FORM_ID] => WEB_FORM_ID [RESULT_ID] => RESULT_ID [action] => action ) [~WEB_FORM_ID] => 3 [~AJAX_ID] => ef7e02adfcc378dd08afa084fd53771e [NEW_URL] => /materials/news/gan-struktury-sinih-lazernyh-diodov-ot-pam-xiamen/ [VIEW_URL] => /materials/news/gan-struktury-sinih-lazernyh-diodov-ot-pam-xiamen/?action=view [NAME_TEMPLATE] => #NAME# #LAST_NAME# [~NEW_URL] => /materials/news/gan-struktury-sinih-lazernyh-diodov-ot-pam-xiamen/ [~VIEW_URL] => /materials/news/gan-struktury-sinih-lazernyh-diodov-ot-pam-xiamen/?action=view [~NAME_TEMPLATE] => #NAME# #LAST_NAME# )

GaN структуры синих лазерных диодов от PAM-Xiamen

Задать вопрос

Подписка на новости