Энергонезависимая память ST-MRAM от Everspin становится внутренней памятью MK и SoC
Компания Everspin Technologies объявила о доступности энергонезависимой памяти ST-MRAM в качестве внутренней памяти микроконтроллеров и систем-на-кристалле. Это стало возможным благодаря сотрудничеству с контрактным производителем полупроводниковых интегральных микросхем GLOBALFOUNDRIES.
Теперь заказчики по всему миру смогут использовать энергонезависимую память ST-MRAM в своих системах на кристаллах и микроконтроллерах.
Преимущества использования ST-MRAM:
- сочетание рабочей памяти (SRAM) с хранением кода (Flash)
- производительность на уровне динамического ОЗУ
- не требуется регенерация данных в процессе работы
- не требуется дополнительная защита от сбоев по питанию
GLOBALFOUNDRIES уже производят для Everspin микросхемы ST-MRAM на основе переноса спиновых состояний плотностью 256 Мбит по технологии уровня 40 нм на 300-мм пластинах.
В планах GLOBALFOUNDRIES использование 7 нм техпроцесса, что приведет к еще большему увеличению производительности и уменьшению потребляемой энергии, чем максимально доступный на сегодняшний день 14 нм техпроцесс. Запуск в производство техпроцесса 7 нм планируется в конце 2018 года.
Макро Групп – является официальным дистрибьютором Everspin на территории России.
Для заказа бесплатных образцов и получения технической поддержки пишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.
