Энергонезависимая память ST-MRAM DDR3 от Everspin объемом 256 Мбит
Производителем Everspin выпущено новое семейство EMD3D256 ST-MRAM с интерфейсом DDR3 объемом 256 Мбит. Это самый высокий объем магниторезистивной памяти, основанной на переносе спиновых состояний, доступный на рынке.
Компания Everspin разрабатывает и производит ST-MRAM – следующее поколение энергонезависимой памяти. В ней для записи бита используется ток, протекающий через структуру ячейки.
ST-MRAM по быстродействию сопоставим с динамической ОЗУ, но не требует регенерации данных в процессе работы и дополнительной защиты от сбоев по питанию, что позволяет применять ее как кэш-память и буферную память для систем хранения данных.
Everspin планирует дальнейшее увеличение объема и выпуск образцов на 1 Гбит с интерфейсом DDR4 в конце 2016 года.
- Технология уровня 40 нм на 300-мм пластине
- Поддержка скорости записи в 100 000 раз больше, чем NAND flash
- Работа с интерфейсами памяти DDR3/DDR4 DRAM
- Самый высокий уровень выносливости среди имеющихся на рынке энергонезависимых запоминающих устройств
Образцы 256Mb ST-MRAM DDR3 доступны для заказчиков в России.
Макро Групп – является официальным дистрибьютором Everspin на территории России.
Для заказа бесплатных образцов напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.
