Да
Нет, выбрать свой

Компания Cree начала производство карбид-кремниевых полевых МОП-транзисторов 3-го поколения. Первый MOSFET нового семейства - C3M0065090J (900В, 35А, 65 мОм) в корпусе D2PAK (TO-263-7).

C3M0065090J (Cree) - транзистор SiC MOSFET 900 В

По техническим вопросам и заказам напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.

SiC-транзисторы с напряжением сток-исток 900 В ориентированы на широкий ряд применений, где на данный момент используются обычные кремниевые MOSFET или IGBT.

C3M0065090J дополняют уже существующие семейства силовых компонентов MOSFET 1200 В и 1700 В фирмы Cree.

Подписка на новости