Да
Нет, выбрать свой

Компания Elite Optical Electrical Technology представила внутренне согласованный транзистор выходной мощностью более 3 кВт в частотном диапазоне 9-9,5 ГГц – GNI090095-P65.

Транзистор выполнен по технологии 0,25 мкм GaN HEMT и обеспечивает усиление на уровне 8 дБ во всём используемом диапазоне частот.

3 кВт транзистор GaN HEMT в X-диапазоне от Elite – GNI090095-P65

При напряжении питания стока 70 В достигается КПД более 30 % во всей полосе.

Основные характеристики транзистора GNI090095-P65:

  • частотный диапазон: 9-9,5 ГГц
  • выходная мощность: 65 дБм
  • питание: +70 В, -4 В

  • коэффициент усиления: 8 дБ
  • габаритные размеры: 24 × 17,5 × 5,2 мм

Компания Макро Групп является дистрибьютором продукции Elite в России.

По любым вопросам напишите нам через форму «Задать вопрос» на нашем сайте или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.

Упоминаемые производители

Подписка на новости