SiC MOSFET для питания светодиодных модулей

Компания Cree анонсировала карбидокремниевый транзистор C2M0280120D для источников питания светодиодных модулей.

Преимущество данного MOSFET – в малом времени переключения:

• t_ON – около 14 наносекунд;
• t_OFF – около 22 наносекунд.

Большие светодиодные модули с последовательно-параллельным соединением (или, к примеру, сборки COB требуют стабилизированного большого тока.

Для питания обычно используется повышающий преобразователь с силовым ключом и схемой управления его затвором.

C2M0280120D хорошо подходит на роль силового ключа.

Основные характеристики:

• I_D – 6А (постоянный ток при T_j 100°C)
• V_DS – 1200В
• R_DS(ON) – 280 мОм
• R_θJC – 2 °С/Вт
• P_tot – 62,5 Вт
• T_j – от -55 до +150°С
• Корпус – TO-247-3.

Транзистор C2M0280120D – очередной представитель серии Z-FET™ MOSFET фирмы Cree. В таблице ниже указаны основные параметры данных MOSFET.

Корпусированные SiC DMOSFET фирмы Cree

Наименование	Блокирующее напряжение, В	Сопротивление открытого канала, мОм	Рабочий ток стока, А
C2M0025120D	1200	25	60
C2M0040120D	1200	40	40
C2M0080120D	1200	80	20
C2M0160120D	1200	160	11
C2M0280120D* *Новый	1200	280	6
C2M1000170D	1700	100	3

SiC транзисторы могут использоваться в инверторах, статических преобразователях, в корректорах коэффициента мощности (ККМ), в управлении электроприводами.

Термин Z-FET™ фирмы Cree означает нулевой хвостовой ток у данного MOSFET. Помимо этого Cree производит SiC диоды Шоттки серии Z-Rec™ (с нулевым током обратного восстановления). Использование MOSFET Z-FET™ совместно диодами Шоттки Z-Rec™ позволяет создать надежные и производительные "all-SiC" схемы коммутации высокой мощности. При этом достигаются уровни эффективности, размеры и вес, не достижимые для той же функциональной схемы на кремниевых аналогах.

По техническим вопросам и заказам напишите нам через форму «Задать вопрос» или позвоните по телефону 8 (800) 333-06-05.