RF MICRODEVICES получила контракт на разработку 0.14 UM GAN СВЧ ИС Технологии
Компания RFMD - мировой лидер в разработке и производстве ВЧ/СВЧ микросхем подписала контракт на сумму $9,7 млн. с научно исследовательской лабораторией ВВС США (AFRL) на освоение в производстве технологии GaN 0.14 микрон. RFMD - это первая компания в мире, серийно выпускающая GaN-on-SiC транзисторы и ИС на пластинах 6 дюймов, и новую технологию 0,14 микрон планируется также перенести на этот диаметр,
По мнению представителей RFMD использование 0,14 микрон в технологии HEMT GaN-on-SiC позволит компании утвердиться на рынке применений, требующих не только высоких значений удельной мощности изделий, но и одновременно расширить диапазон рабочих частот до 100ГГц.
Это сулит огромные возможности для таких применений, как радары, системы РЭБ, РРЛС и других.
В обозримом будущем данная технология также планируется к поддержке со стороны подразделения RFMD, осуществляющего услуги Foundry Service для заказчиков готовых к разработке собственных ИС на основе предоставляемых design kits.
Компания Макро Групп более не поставляет продукцию RF Microdevices. Рекомендуем обратиться к другим поставщикам.