Статьи
В статье приведен краткий обзор пленочных конденсаторов китайской фирмы BM, выпускаемых на основе полипропиленового диэлектрика. Особое внимание уделено индуктивным компонентам Pulse Electronics для импульсных источников питания, их разновидностям, видам потерь и методике оптимального подбора необходимого компонента.
За последние сто пятьдесят лет человечество в плане технического развития нашей цивилизации совершило такой скачек, который превысил все, что оно достигло с момента ее зарождения до конца 19-го века. И это развитие в наши дни продолжается ускоренными темами, в наш обиход входят все новые и новые устройства, и все они связаны с потреблением энергии и преобладающая энергия здесь – электрическая.
Для многих беспроводных и портативных приложений, особенно в растущем сегменте «интернет вещей», критическим является энергопотребление (мощность, потребляемая устройством в течении продолжительного периода времени). Основная задача проводимого исследования – это может ли функция fast-Write и power-up-to-Write для MRAM памяти существенно снизить общее энергопотребление системы по сравнению с любой EEPROM или Flash памятью.
В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбидокремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.
Для увеличения дальности канала связи и снижения общей стоимости конечного изделия на рынок вышли модули с поддержкой технологии LoRa Alliance®. LoRaТМ – специальная технология, разработанная компанией Semtech, которая объединяет в себе запатентованный метод модуляции LoRa (усовершенствованный метод широкополосной модуляции DSSS) и традиционную гауссовскую модуляцию.
В линейку ISM модулей HOPERF входят как простые трансиверы, так и со встроенным микроконтроллером, а также с начала этого года начался выпуск модулей с поддержкой LoRa.
Одним из основных требований, предъявляемых к LTE-Advanced (LTE-A), является пропускная способность канала связи между базовой станцией и мобильным устройством – до 1 Гбит/с. Для того, чтобы обеспечить требуемые значения пропускной способности используют объединение несущей (Carrier Aggregation). В LTE-A предусмотрена поддержка 5-ти частотных каналов шириной 20 МГц (общая ширина канала 100 МГц).