Everspin Technologies – ведущий производитель и мировой лидер в области разработок магниторезистивных ОЗУ (MRAM). Энергонезависимая память MRAM уникальна сочетанием в себе таких особенностей, как
- самое высокое быстродействие,
- абсолютно неограниченного число рабочих циклов,
- длительное время сохранения данных (не менее 20 лет),
- возможность работы как в последовательном, так и в параллельном интерфейсе,
- и, одновременно с этим, полная энергонезависимость и высочайшие характеристики по надежности и стойкости к магнитным полям.
Исторически, первые чипы 4 Мбит MRAM были выпущены в 2006 году известным производителем полупроводников Freescale Semiconductor. В дальнейшем Freescale выделила весь бизнес технологии MRAM в отдельный компанию Everspin с головным офисом в городе Чандлер (Аризона, США), производствами в Тайланде, Китае, Сингапуре, США и центром разработок в г. Остин (Техас, США).
Everspin – это первый в мире массовый производитель MRAM памяти. Он и и сегодня остается лидером этой индустрии, не смотря на активные исследования этой технологии такими крупные компании, как Samsung Hynix.
Сегодня MRAM память от Everspin успешно находит свое применение в сферах, требующих гарантированное сохранение информации при любых воздействиях. Это, прежде всего, приборы энергоучета, системы хранения данных, телекоммуникации, промышленная электроника, авионика и автомобильная электроника.
Перейти к продукции Everspin в каталоге
Новости Everspin
Компания Everspin Technologies, Inc. объявила о выпуске нового xSPI MRAM устройства EM128LX, которое расширяет линейку продуктов до 128 Мбит.
Компания Everspin информирует, что вынуждена увеличить цены и сроки поставки на свою продукцию начиная с 10 июля 2022 года в связи с ростом мирового спроса на рынке полупроводников, очереди на фабрике TSMC, нехватке сотрудников для поддержания работы заводов, транспорта и также сборочных/испытательных площадок.
Компания Everspin объявила о запуске производства образцов нового семейства микросхем памяти с интерфейсами SPI/QSPI/xSPI – серия EMxxLX. Данная серия является самой высокопроизводительной постоянной памятью с полной пропускной способностью чтения и записи 400 Мбайт/c.
Компания Everspin повысила цены и увеличила сроки поставки на свою продукцию с 1 ноября 2021 года.
Компания Everspin расширила свой ассортимент 16-битной энергонезависимой MRAM памяти с параллельным интерфейсом на 8 и 32 Мбит – семейство MR5A16A.
Компания Everspin Technologies объявила о разработке семейства микросхем ST-MRAM для индустриальных и IoT применений. Ранее микросхемы ST-MRAM производились только в коммерческом диапазоне температур.
Компания Everspin выпустила руководство по проектированию ST-DDR4 для контроллеров памяти Xilinx FPGA. Руководство облегчит разработчикам процедуру реализации решений на основе энергонезависимой магниторезистивной памяти нового поколения ST-MRAM объёмом 1 Гбит с интерфейсом ST-DDR4.
Компания Everspin Technologies объявила о расширении семейства Toggle MRAM микросхемами на 2 Мбит, 8 Мбит и 32 Мбит.
Компания Everspin Technologies объявила, что компании Phison Electronics и Sage Microelectronics предоставят встроенную поддержку памяти STT-MRAM на 1 Гбит в своих продуктах.
Аппаратный ускоритель-накопитель nvNITRO в форм-факторе PCIe на основе энергонезависимой магниторезистивной памяти с переносом спиновых состояний ST-MRAM от Everspin доступен для аренды со склада Макро Групп.
На выставке «ЭкспоЭлектроника-2019» с 15 по 17 апреля на стенде Макро Групп состоится презентация аппаратных ускорителей nvNITRO, основанных на энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе переноса спиновых состояний ST-MRAM от компании Everspin.
Приглашаем посетить «Макро Групп» на выставке «ЭкспоЭлектроника». Получите бесплатный электронный билет для посещения выставки по промокоду.
Статьи Everspin
Благодаря использованию STT-MRAM удается оптимизировать такие важные характеристики, как полезная площадь, производительность, долговечность, надежность и эксплуатационный период при одновременном уменьшении сложности систем и расширении функциональных возможностей.
Данный документ может быть использован в качестве руководства для инженеров по использованию контроллера памяти FPGA Xilinx при взаимодействии с энергонезависимой памятью ST-DDR3 от Everspin.
Рассказывает директор по маркетингу компании Everspin Technologies Дж. Фруэ.
Для многих беспроводных и портативных приложений, особенно в растущем сегменте «интернет вещей», критическим является энергопотребление (мощность, потребляемая устройством в течении продолжительного периода времени). Основная задача проводимого исследования – это может ли функция fast-Write и power-up-to-Write для MRAM памяти существенно снизить общее энергопотребление системы по сравнению с любой EEPROM или Flash памятью.
История компании Everspin Technologies началась 9 июня 2008 г., когда корпорация Freescale объявила о решении создать самостоятельную компанию по производству новейшей на то время магниторезестивной памяти с произвольным доступом — MRAM.
Видео Everspin
Технология MRAM (Magnetoresistive RAM) разрабатывается с 1990х годов. Однако ещё многие разработчики с ней незнакомы.
Быстродействие MRAM сравнимо с SRAM, плотность ячеек такая же как у DRAM при меньшем энергопотреблении. Быстродействие и плотность ячеек выше, чем у FRAM. Энергонезависимая память MRAM более быстрая и не страдает деградацией по прошествии времени в сравнении с энергонезависимой памятью Flash. Комбинация этих свойств может сделать память MRAM «универсальной памятью», способной заменить SRAM, DRAM, EEPROM и Flash.