Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой

GaN транзистор предварительно-согласованный

Добавить в корзину

Описание

Серия NDNM
Тип корпуса JY04F503
Габаритные размеры, мм 41,1x10,1x3,4 мм

Технические характеристики

Начальная частота 0,425 ГГц
Конечная частота 0,475 ГГц
Выходная мощность 1300 Вт
КПД 72 %
КУ 18 дБ
Напряжение питания 50 В
Режим работы импульсный

Вопрос-ответ

Никто еще не задавал вопросов

Задать вопрос

Работаем только
с юридическими лицами