Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой

GaN транзистор предварительно-согласованный

Добавить в корзину

Описание

Серия NDNM
Тип корпуса JY04F503
Габаритные размеры, мм 41,1x10,1x3,4 мм

Технические характеристики

Начальная частота 0,35 ГГц
Конечная частота 0,45 ГГц
Выходная мощность 1300 Вт
КПД 68 %
КУ 19 дБ
Напряжение питания 50 В
Режим работы импульсный

Вопрос-ответ

Никто еще не задавал вопросов

Задать вопрос

Работаем только
с юридическими лицами