Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой

GaN транзистор внутрисогласованный

Добавить в корзину

Описание

Серия NDNM
Тип корпуса C164-1
Габаритные размеры, мм 24,0x17,4x4,4 мм

Технические характеристики

Начальная частота 13,1 ГГц
Конечная частота 13,3 ГГц
Выходная мощность 120 Вт
КПД 30 %
КУ 6 дБ
Напряжение питания 28 В
Режим работы импульсный

Вопрос-ответ

Никто еще не задавал вопросов

Задать вопрос

Работаем только
с юридическими лицами