Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой

GaN транзистор внутрисогласованный

Добавить в корзину

Описание

Серия NDNM
Тип корпуса C164-1
Габаритные размеры, мм 24,0x17,4x4,4 мм

Технические характеристики

Начальная частота 3,1 ГГц
Конечная частота 3,5 ГГц
Выходная мощность 300 Вт
КПД 60 %
КУ 12 дБ
Напряжение питания 36 В
Режим работы импульсный

Вопрос-ответ

Никто еще не задавал вопросов

Задать вопрос

Работаем только
с юридическими лицами