IGBT модули
Всего товаров: 33
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
AMG
|
PrimePack
|
1700 В
|
650 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
 |
|
AMG
|
HybridPACK/HPD
|
750 В
|
820 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
 |
|
AMG
|
Econodual
|
1200 В
|
900 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами
|
152x62x17 мм
|
|
|
|
AMG
|
PrimePack
|
1200 В
|
900 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
MG100
|
C1 34mm
|
1200 В
|
100 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами, коннекторы FASTON
|
|
|
|
|
MG100
|
GJ-UZ
|
1200 В
|
100 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
 |
|
MG150
|
C2 62mm
|
1200 В
|
150 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами, коннекторы FASTON
|
|
|
|
|
MG200
|
C2 62mm
|
1200 В
|
200 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами, коннекторы FASTON
|
|
|
|
|
MG50
|
GJ-U
|
1200 В
|
50 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
|
MG50
|
GJ-UZ
|
1200 В
|
50 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
 |
|
MG75
|
C1 34mm
|
1200 В
|
75 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами, коннекторы FASTON
|
|
|
|
|
MG75
|
GJ-U
|
1200 В
|
75 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
|
MG75
|
GJ-UZ
|
1200 В
|
75 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
Настройки
Отображение колонок
IGBT модули (Insulated Gate Bipolar Transistor modules) - это интегральные устройства для управления большими мощностями в системах управления мощностью, которые содержат в себе несколько IGBT транзисторов и диодов, а также драйверы и защитные механизмы.
IGBT-транзистор (сокращение от англоязычного Insulated-gate bipolar transistor) или биполярный транзистор с изолированным затвором (сокращенно БТИЗ) — представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, сочетающий внутри одного корпуса силовой биполярный транзистор и управляющий им полевой транзистор. IGBT-транзисторы являются на сегодняшний день основными компонентами силовой электроники (мощные инверторы, импульсные блоки питания, частотные преобразователи и т.д.), где они выполняют функцию мощных электронных ключей, коммутирующих токи на частотах измеряемых десятками и сотнями килогерц. В данном разделе представлены IGBT транзисторы в модульном исполнении.
IGBT-транзистор (сокращение от англоязычного Insulated-gate bipolar transistor) или биполярный транзистор с изолированным затвором (сокращенно БТИЗ) — представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, сочетающий внутри одного корпуса силовой биполярный транзистор и управляющий им полевой транзистор. IGBT-транзисторы являются на сегодняшний день основными компонентами силовой электроники (мощные инверторы, импульсные блоки питания, частотные преобразователи и т.д.), где они выполняют функцию мощных электронных ключей, коммутирующих токи на частотах измеряемых десятками и сотнями килогерц. В данном разделе представлены IGBT транзисторы в модульном исполнении.
Новости
30 января 2025
AMG Power анонсировала выпуск IGBT-модулей с напряжением 1200 В и током
900 А, а также 1700 В и током 650 А, под заказными номерами AMG900G1200PP2 и
AMG650G1700PP2.
09 января 2024
Номенклатура IGBT модулей AMG Power пополнилась модулем 1200 В 450 А в корпусе типа «Econodual» – AMG450G1200MED.
20 ноября 2023
AMG Power расширила портфолио IGBT модулей двумя модулями 12 класса – на 600 и 900 А.
12 июля 2022
Компания SUNCOYJ (Китай) анонсировала выпуск силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер от 600 до 1200 В и диапазоном токов от 10 А до 75 А.