IGBT модули
Всего товаров: 77
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
5SFG
|
LinPak
|
3300 В
|
1000 А
|
|
|
IGBT
|
Phase leg
|
|
140x100x38 мм
|
|
|
|
5SFG
|
LinPak
|
1700 В
|
1800 А
|
|
|
IGBT
|
Phase leg
|
|
140x100x38 мм
|
|
|
5SJA
|
L
|
5200 В
|
2,52 А
|
3000 A
|
2,52 В
|
|
1/1 (BIGT)
|
|
|
 |
|
5SLA
|
HiPak
|
1700 В
|
3600 А
|
|
|
Diode
|
Single
|
|
130x140x38 мм
|
 |
|
5SLD
|
HiPak
|
6500 В
|
600 А
|
|
|
Diode
|
Dual
|
|
130x140x48 мм
|
|
|
|
5SLD
|
HiPak
|
4500 В
|
650 А
|
|
|
Diode
|
Dual
|
|
130x140x48 мм
|
 |
|
5SLD
|
HiPak
|
3300 В
|
1000 А
|
|
|
Diode
|
Dual
|
|
130x140x38 мм
|
|
|
|
5SLD
|
HiPak
|
3300 В
|
1200 А
|
|
|
Diode
|
Dual
|
|
130x140x48 мм
|
|
|
|
5SLD
|
HiPak
|
4500 В
|
1200 А
|
|
|
Diode
|
Dual
|
|
130x140x48 мм
|
 |
|
5SLG
|
HiPak
|
3300 В
|
500 А
|
|
|
Diode
|
Phase leg
|
|
73x140x48 мм
|
|
|
|
5SLG
|
HiPak
|
4500 В
|
600 А
|
|
|
Diode
|
Phase leg
|
|
73x140x48 мм
|
|
|
|
5SMA
|
L
|
4500 В
|
|
3000 A
|
|
|
1/0
|
|
|
|
|
|
5SNA
|
HiPak
|
6500 В
|
400 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
130x140x48 мм
|
|
|
|
5SNA
|
HiPak
|
6500 В
|
500 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
130x140x48 мм
|
 |
|
5SNA
|
HiPak
|
6500 В
|
600 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
190x140x48 мм
|
|
|
|
5SNA
|
HiPak
|
4500 В
|
650 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
130x140x48 мм
|
|
|
|
5SNA
|
HiPak
|
6500 В
|
750 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
190x140x48 мм
|
|
|
|
5SNA
|
HiPak
|
4500 В
|
800 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
130x140x48 мм
|
|
|
|
5SNA
|
HiPak
|
3300 В
|
800 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
130x140x38 мм
|
|
|
|
5SNA
|
HiPak
|
6500 В
|
1000 А
|
|
|
IGBT
|
Single
|
|
190x140x48 мм
|
Настройки
Отображение колонок
IGBT модули (Insulated Gate Bipolar Transistor modules) - это интегральные устройства для управления большими мощностями в системах управления мощностью, которые содержат в себе несколько IGBT транзисторов и диодов, а также драйверы и защитные механизмы.
IGBT-транзистор (сокращение от англоязычного Insulated-gate bipolar transistor) или биполярный транзистор с изолированным затвором (сокращенно БТИЗ) — представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, сочетающий внутри одного корпуса силовой биполярный транзистор и управляющий им полевой транзистор. IGBT-транзисторы являются на сегодняшний день основными компонентами силовой электроники (мощные инверторы, импульсные блоки питания, частотные преобразователи и т.д.), где они выполняют функцию мощных электронных ключей, коммутирующих токи на частотах измеряемых десятками и сотнями килогерц. В данном разделе представлены IGBT транзисторы в модульном исполнении.
IGBT-транзистор (сокращение от англоязычного Insulated-gate bipolar transistor) или биполярный транзистор с изолированным затвором (сокращенно БТИЗ) — представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, сочетающий внутри одного корпуса силовой биполярный транзистор и управляющий им полевой транзистор. IGBT-транзисторы являются на сегодняшний день основными компонентами силовой электроники (мощные инверторы, импульсные блоки питания, частотные преобразователи и т.д.), где они выполняют функцию мощных электронных ключей, коммутирующих токи на частотах измеряемых десятками и сотнями килогерц. В данном разделе представлены IGBT транзисторы в модульном исполнении.
Новости
30 января 2025
AMG Power анонсировала выпуск IGBT-модулей с напряжением 1200 В и током
900 А, а также 1700 В и током 650 А, под заказными номерами AMG900G1200PP2 и
AMG650G1700PP2.
09 января 2024
Номенклатура IGBT модулей AMG Power пополнилась модулем 1200 В 450 А в корпусе типа «Econodual» – AMG450G1200MED.
20 ноября 2023
AMG Power расширила портфолио IGBT модулей двумя модулями 12 класса – на 600 и 900 А.
12 июля 2022
Компания SUNCOYJ (Китай) анонсировала выпуск силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер от 600 до 1200 В и диапазоном токов от 10 А до 75 А.