IGBT модули
Всего товаров: 33
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
5SJA
|
L
|
5200 В
|
2,52 А
|
3000 A
|
2,52 В
|
|
1/1 (BIGT)
|
|
|
|
|
5SMA
|
L
|
4500 В
|
|
3000 A
|
|
|
1/0
|
|
|
|
|
5SNA
|
K
|
4500 В
|
2,4 А
|
1300 A
|
2,4 В
|
|
1/1
|
|
|
|
|
5SNA
|
K
|
4500 В
|
2,4 А
|
2000 A
|
2,4 В
|
|
1/1
|
|
|
|
|
5SNA
|
K
|
4500 В
|
3 А
|
2000 A
|
3 В
|
|
1/1
|
|
|
|
|
5SNA
|
K
|
4500 В
|
3 А
|
2000 A
|
3 В
|
|
1/1
|
|
|
|
|
5SNA
|
K
|
4500 В
|
3 А
|
3000 A
|
3 В
|
|
1/1
|
|
|
|
AMG
|
PrimePack
|
1700 В
|
1000 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
AMG
|
PrimePack
|
1200 В
|
1400 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
AMG
|
PrimePack
|
1700 В
|
1400 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
AMG
|
PrimePack+
|
1200 В
|
1500 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
AMG
|
66mm
|
1700 В
|
150 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
AMG
|
Econodual
|
1700 В
|
300 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами
|
152x62x17 мм
|
|
|
AMG
|
HybridPACK/HPD
|
750 В
|
400 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
AMG
|
Econodual
|
1200 В
|
450 А
|
|
|
IGBT
|
полумост IGBT
|
винтами
|
152x62x17 мм
|
|
|
AMG
|
Econodual
|
1700 В
|
450 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами
|
152x62x17 мм
|
|
|
AMG
|
Econodual
|
1200 В
|
600 А
|
|
|
IGBT
|
Полумост IGBT
|
винтами
|
152x62x17 мм
|
|
|
AMG
|
PrimePack
|
1200 В
|
600 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
|
|
AMG
|
Econodual
|
1200 В
|
600 А
|
|
|
IGBT
|
полумост IGBT
|
винтами
|
152x62x17 мм
|
|
|
AMG
|
HybridPACK/HPD
|
750 В
|
600 А
|
|
|
IGBT
|
|
винтами
|
|
Настройки
Отображение колонок
IGBT модули (Insulated Gate Bipolar Transistor modules) - это интегральные устройства для управления большими мощностями в системах управления мощностью, которые содержат в себе несколько IGBT транзисторов и диодов, а также драйверы и защитные механизмы.
IGBT-транзистор (сокращение от англоязычного Insulated-gate bipolar transistor) или биполярный транзистор с изолированным затвором (сокращенно БТИЗ) — представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, сочетающий внутри одного корпуса силовой биполярный транзистор и управляющий им полевой транзистор. IGBT-транзисторы являются на сегодняшний день основными компонентами силовой электроники (мощные инверторы, импульсные блоки питания, частотные преобразователи и т.д.), где они выполняют функцию мощных электронных ключей, коммутирующих токи на частотах измеряемых десятками и сотнями килогерц. В данном разделе представлены IGBT транзисторы в модульном исполнении.
IGBT-транзистор (сокращение от англоязычного Insulated-gate bipolar transistor) или биполярный транзистор с изолированным затвором (сокращенно БТИЗ) — представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, сочетающий внутри одного корпуса силовой биполярный транзистор и управляющий им полевой транзистор. IGBT-транзисторы являются на сегодняшний день основными компонентами силовой электроники (мощные инверторы, импульсные блоки питания, частотные преобразователи и т.д.), где они выполняют функцию мощных электронных ключей, коммутирующих токи на частотах измеряемых десятками и сотнями килогерц. В данном разделе представлены IGBT транзисторы в модульном исполнении.