Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой

Модуль SiC, 1,2 кВ, 800А, топология Half Bridge, корпус DCS12

Добавить в корзину

Описание

Серия A2G
Корпус DCS12
Конструкция Half Bridge
Упаковка Коробка
Тип модуля SiC
Семейство 1200 В SiC MOSFET модуль
Минимальный заказ (MOQ) 1
В упаковках (MPQ) 1

Технические характеристики

Напряжение сток-исток 1,2 кВ
Ток 800 А
Сопротивление открытого канала (мин) 2,2 мОм
Размер 110x63x14,4 мм

Вопрос-ответ

Никто еще не задавал вопросов

Задать вопрос

Работаем только
с юридическими лицами