Модуль SiC, 1,2 кВ, 400А, топология Half Bridge, корпус DCS12
Добавить в корзину
Описание
Серия | A2G |
Корпус | DCS12 |
Конструкция | Half Bridge |
Упаковка | Коробка |
Тип модуля | SiC |
Семейство | 1200 В SiC MOSFET модуль |
Минимальный заказ (MOQ) | 1 |
В упаковках (MPQ) | 1 |
Технические характеристики
Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
Ток | 400 А |
Сопротивление открытого канала (мин) | 4 мОм |
Размер | 110x63x14,4 мм |