Ваш город Санкт-Петербург?
Да
Нет, выбрать свой

Модуль SiC, 1,2 кВ, 200А, топология Half Bridge, корпус EasyPIM

Добавить в корзину

Описание

Серия A2G
Корпус EasyPIM
Конструкция Half Bridge
Упаковка Коробка
Тип модуля SiC
Семейство 1200 В SiC MOSFET модуль
Минимальный заказ (MOQ) 1
В упаковках (MPQ) 1

Даташит

A2G200N1200EP.pdf
434.46 КБ

Технические характеристики

Напряжение сток-исток 1,2 кВ
Ток 200 А
Сопротивление открытого канала (мин) 8 мОм
Размер 62,8x33,8x16,4 мм

Вопрос-ответ

Никто еще не задавал вопросов

Задать вопрос

Работаем только
с юридическими лицами