Модуль SiC, 1,2 кВ, 200А, топология Half Bridge, корпус EasyPIM
Добавить в корзину
Описание
| Серия | A2G |
| Корпус | EasyPIM |
| Конструкция | Half Bridge |
| Упаковка | Коробка |
| Тип модуля | SiC |
| Семейство | 1200 В SiC MOSFET модуль |
| Минимальный заказ (MOQ) | 1 |
| В упаковках (MPQ) | 1 |
Даташит
A2G200N1200EP.pdf
434.46 КБ
Технические характеристики
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| Ток | 200 А |
| Сопротивление открытого канала (мин) | 8 мОм |
| Размер | 62,8x33,8x16,4 мм |
