G5S12008D
Global Power Technology
SiC, 1200 В диод Шоттки, 8А, TO-263, одиночный кристалл, Gen 5
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G5S1 |
| Тип корпуса | TO-263 |
| Семейство | 1200 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 5 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G5S12008D.pdf
628.31 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 1200 В |
| Ток | 8 А |
| Прямое падение напряжения | 1,45 В |
| Суммарный емкостный заряд | 38(VR=800V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 106 Вт |