G5S06508CT
Global Power Technology
SiC, 650 В диод Шоттки, 8А, TO-252, одиночный кристалл, Gen 5
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G5S0 |
| Тип корпуса | TO-252 |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 5 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G5S06508CT.pdf
677.39 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 8 А |
| Прямое падение напряжения | 1,3 В |
| Суммарный емкостный заряд | 29(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 122 Вт |