G52YT
Global Power Technology
SiC, диод Шоттки, 2A, 650 В, SMA, одиночный кристалл, Gen 5
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G52Y |
| Тип корпуса | SMA |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 5 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G52YT.pdf
724.32 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 2 А |
| Прямое падение напряжения | 1,3 В |
| Суммарный емкостный заряд | 8(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 22 Вт |