G51YT
Global Power Technology
SiC, диод Шоттки, 1A, 650 В, SMA, одиночный кристалл, Gen 5
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G51Y |
| Тип корпуса | SMA |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 5 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G51YT.pdf
464.12 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 1 А |
| Прямое падение напряжения | 1,38 В |
| Суммарный емкостный заряд | 3,6(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 8,8 Вт |