G4S6508Z
Global Power Technology
SiC, 650 В диод Шоттки, 8А, DFN5*6, одиночный кристалл, Gen 4
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G4S6 |
| Тип корпуса | DFN 5x6 |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 4 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G4S6508Z.pdf
1.19 МБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 8 А |
| Прямое падение напряжения | 1,4 В |
| Суммарный емкостный заряд | 21(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 149 Вт |