G4S06515QT
Global Power Technology
SiC, 650 В диод Шоттки, 15А, DFN8*8, одиночный кристалл, Gen 4
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G4S0 |
| Тип корпуса | DFN 8x8 |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 4 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G4S06515QT.pdf
1.29 МБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 15 А |
| Прямое падение напряжения | 1,5 В |
| Суммарный емкостный заряд | 31(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 263 Вт |