G4S06515CT
Global Power Technology
SiC, 650 В диод Шоттки, 15А, TO-252, одиночный кристалл, Gen 4
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G4S0 |
| Тип корпуса | TO-252 |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 4 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G4S06515CT.pdf
709.81 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 15 А |
| Прямое падение напряжения | 1,5 В |
| Суммарный емкостный заряд | 31(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 128 Вт |