G4S06510QT
Global Power Technology
SiC, 650 В диод Шоттки, 10А, DFN8*8, одиночный кристалл, Gen 4
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G4S0 |
| Тип корпуса | DFN 8x8 |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 4 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G4S06510QT.pdf
1.3 МБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 10 А |
| Прямое падение напряжения | 1,38 В |
| Суммарный емкостный заряд | 29(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 238 Вт |