G3S12010D
Global Power Technology
SiC, 1200 В диод Шоттки, 10А, TO-263, одиночный кристалл, Gen 3
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G3S1 |
| Тип корпуса | TO-263 |
| Семейство | 1200 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 3 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G3S12010D.pdf
624.3 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 1200 В |
| Ток | 10 А |
| Прямое падение напряжения | 1,55 В |
| Суммарный емкостный заряд | 54,4(VR=800V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 221 Вт |