G3S06508H
Global Power Technology
SiC, 650 В диод Шоттки, 8А, TO-220F, одиночный кристалл, Gen 3
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G3S0 |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Семейство | 650 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 3 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G3S06508H.pdf
577.77 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 650 В |
| Ток | 8 А |
| Прямое падение напряжения | 1,38 В |
| Суммарный емкостный заряд | 28(VR=400V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 48 Вт |