G1S33001P
Global Power Technology
SiC, диод Шоттки, 1 A, 3300 В, TO-247AC-2L, одиночный кристалл, Gen 1
Добавить в корзину
Описание
| Серия | G1S3 |
| Тип корпуса | TO-247AC-2L |
| Семейство | 3300 В диод Шоттки |
| Поколение | Gen 1 |
| Рекомендован для нового дизайна? | Да |
| Упаковка | Tube |
| Квалификация | Промышленный |
| Минимальный заказ | 1 |
| В упаковка | 1 |
Даташит
G1S33001P.pdf
751.92 КБ
Технические характеристики
| Максимальное обратное напряжение диода | 3300 В |
| Ток | 1 А |
| Прямое падение напряжения | 1,8 В |
| Суммарный емкостный заряд | 19 (VR=2200V) нКл |
| Суммарная рассеиваемая мощность | 101,3 Вт |