Подложки из карбида кремния (SiC)

Всего товаров: 18

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Семейство	D	Политип	Тип проводимости, легирующая примесь	Класс качества (удельная плотность микропор(MPD))

Код заказа
MGSiC4NNA Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4NNB Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4NNC Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4SIUA Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4SIUB Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4SIUC Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4SIVA Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4SIVB Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC4SIVC Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6NNA Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6NNB Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6NNC Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6SIUA Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6SIUB Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6SIUC Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6SIVA Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6SIVB Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы
MGSiC6SIVC Array ( [ID] => 676173 [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/ ) МГ Полупроводниковые материалы

Серия	Семейство	D	Политип	Тип проводимости, легирующая примесь	Класс качества (удельная плотность микропор(MPD))
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	n-типа, N-легированный	A (MPD ≤1 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	n-типа, N-легированный	B (MPD ≤5 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	n-типа, N-легированный	C (MPD ≤30 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	полуизолирующий, нелегированный	A (MPD ≤1 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	полуизолирующий, нелегированный	B (MPD ≤5 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	полуизолирующий, нелегированный	C (MPD ≤30 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	полуизолирующий, V-легированный	A (MPD ≤1 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	полуизолирующий, V-легированный	B (MPD ≤5 см-2)
MGSiC	SiC подложка	4 дюйм	4H	полуизолирующий, V-легированный	C (MPD ≤30 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	n-типа, N-легированный	A (MPD ≤1 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	n-типа, N-легированный	B (MPD ≤5 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	n-типа, N-легированный	C (MPD ≤30 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	полуизолирующий, нелегированный	A (MPD ≤1 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	полуизолирующий, нелегированный	B (MPD ≤5 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	полуизолирующий, нелегированный	C (MPD ≤30 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	полуизолирующий, V-легированный	A (MPD ≤1 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	полуизолирующий, V-легированный	B (MPD ≤5 см-2)
MGSiC	SiC подложка	6 дюйм	4H	полуизолирующий, V-легированный	C (MPD ≤30 см-2)

Карбид кремния (SiC) - полупроводниковый материал третьего поколения с большой шириной запрещенной зоны, обладающий высокой теплопроводностью, радиационной стойкостью, высоким электрическим полем пробоя, высокой химической стабильностью и хорошей скоростью дрейфа электронного насыщения.

Благодаря уникальным физическим и электронным свойствам, SiC подложки успешно применяются для создания коротковолновых оптоэлектронных, высокотемпературных, радиационно-стойких и высокочастотных электронных устройств. По сравнению с обычными устройствами, SiC силовые устройства имеют более высокую скорость переключения, более высокое напряжение, более низкое паразитное сопротивление, меньшие размеры и меньшие требования к охлаждению из-за возможности работы при высоких температурах.