MGSi4NTDNAs
МГ Полупроводниковые материалы
Подложка из карбида кремния полуизолирующего, легированного ванадием
Добавить в корзину
Описание
| Серия | MGSi |
| Семейство | Si подложка |
| Минимальный заказ (MOQ) | 1 |
| В упаковка (MPQ) | 1 |
| Тип проводимости, легирующая примесь | N-типа, As-легированный |
| Метод выращивания | NTD |
| Удельное сопротивление | 30-600 Ом*см |
| Упаковка | Коробка |
Даташит
Si_4_inch_NTD.pdf
99.53 КБ
Технические характеристики
| Толщина | 525 мкм |
| BOW | ≤40 мкм |
| Диаметр | 4 дюйм |