MGSi4GDFZPB
МГ Полупроводниковые материалы
Подложка из карбида кремния полуизолирующего, легированного ванадием
Добавить в корзину
Описание
| Серия | MGSi |
| Семейство | Si подложка |
| Минимальный заказ (MOQ) | 1 |
| В упаковка (MPQ) | 1 |
| Тип проводимости, легирующая примесь | P-типа, B-легированный |
| Метод выращивания | GDFZ |
| Удельное сопротивление | 1000-20000 Ом*см |
| Упаковка | Коробка |
Даташит
Si_4_inch_GDFZ.pdf
99.4 КБ
Технические характеристики
| Толщина | 525 мкм |
| BOW | ≤40 мкм |
| Диаметр | 4 дюйм |