MGSi3MCZNP
МГ Полупроводниковые материалы
Подложка из карбида кремния полуизолирующего, легированного ванадием
Добавить в корзину
Описание
| Серия | MGSi |
| Семейство | Si подложка |
| Минимальный заказ (MOQ) | 1 |
| В упаковка (MPQ) | 1 |
| Тип проводимости, легирующая примесь | N-типа, P-легированный |
| Метод выращивания | MCZ |
| Удельное сопротивление | 100-1000 Ом*см |
| Упаковка | Коробка |
Даташит
Si_3_inch_MCZ.pdf
100.37 КБ
Технические характеристики
| Толщина | 381 мкм |
| BOW | ≤30 мкм |
| Диаметр | 3 дюйм |