Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
Всего товаров: 72
Товаров на странице:
Код заказа
Фото В корзину
Серия
Семейство
Метод выращивания
Тип проводимости, легирующая примесь
Удельное сопротивление
Толщина
BOW
D
Минимальный заказ (MOQ)
В упаковка (MPQ)
Упаковка
Код заказа
MGSi2GDFZNAs
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2GDFZNP
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2GDFZNSb
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2GDFZPB
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2MCZNAs
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2MCZNP
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2MCZNSb
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2MCZPB
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2NTDNAs
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2NTDNP
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2NTDNSb
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi2NTDPB
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3GDFZNAs
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3GDFZNP
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3GDFZNSb
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3GDFZPB
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3MCZNAs
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3MCZNP
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3MCZNSb
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGSi3MCZPB
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
Фото В корзину
Серия
Семейство
Метод выращивания
Тип проводимости, легирующая примесь
Удельное сопротивление
Толщина
BOW
D
Минимальный заказ (MOQ)
В упаковка (MPQ)
Упаковка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
N-типа, As-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
N-типа, P-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
N-типа, Sb-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
P-типа, B-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
N-типа, As-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
N-типа, P-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
N-типа, Sb-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
P-типа, B-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
NTD
N-типа, As-легированный
30-600  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
NTD
N-типа, P-легированный
30-600  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
NTD
N-типа, Sb-легированный
30-600  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
NTD
P-типа, B-легированный
30-600  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
2  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
N-типа, As-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
N-типа, P-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
N-типа, Sb-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
GDFZ
P-типа, B-легированный
1000-20000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
N-типа, As-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
N-типа, P-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
N-типа, Sb-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка
Изображение отсутствует
MGSi
Si подложка
MCZ
P-типа, B-легированный
100-1000  Ом*см
381  мкм
≤30  мкм
3  дюйм
1
1
Коробка

Вопрос-ответ