MGGaAs3SIUPP-8000ME
МГ Полупроводниковые материалы
Описание
| Серия | MGGaAs |
| Семейство | GaAs подложка |
| Применение | микроэлектроника |
| Тип проводимости, легирующая примесь | полуизолирующий, нелегированный |
| Метод выращивания | VGF |
| Ориентация | (100)±0.5° |
| Подвижность носителей | >5000 см2/В*с |
| Сопротивление | >1E7 Ом*см |
| Полировка | двухсторонняя |
Даташит
GaAs_ME.pdf
90.99 КБ
Технические характеристики
| Диаметр | 3 дюйм |
| Концентрация свободных носителей | - см-3 |
| Плотность ямок травления (EPD), менее | 8000 см-2 |