MGGaAs2NSiPE-500LD
МГ Полупроводниковые материалы
Описание
| Серия | MGGaAs |
| Семейство | GaAs подложка |
| Применение | лазерные диоды |
| Тип проводимости, легирующая примесь | n-типа, Si-легированный |
| Метод выращивания | VGF |
| Ориентация | (100)2°/6°/15° к (110) |
| Подвижность носителей | 1500-3000 см2/В*с |
| Сопротивление | (1.5-9)E-3 Ом*см |
| Полировка | односторонняя |
Даташит
GaAs_ld.pdf
93.19 КБ
Технические характеристики
| Диаметр | 2 дюйм |
| Концентрация свободных носителей | (0.4-2.5)E18 см-3 |
| Плотность ямок травления (EPD), менее | 500 см-2 |