GaAs подложки
Всего товаров: 21
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
4 дюйм
|
VGF
|
полуизолирующий, нелегированный
|
(100)±0.5°
|
>5000 см2/В*с
|
- см-3
|
>1E7 Ом*см
|
8000 см-2
|
двухсторонняя
|
микроэлектроника
|
Настройки
Отображение колонок
GaAs (арсенид галлия) является еще одним важным полупроводниковым материалом, который часто используется в электронике и оптоэлектронике. GaAs подложки представляют собой основу, на которую могут быть выращены тонкие слои других полупроводников или полупроводниковых структур, таких как транзисторы, диоды и лазеры.
Особенности GaAs подложек:
Особенности GaAs подложек: