Ваш город Эль-Монте?
Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
Всего товаров: 21
Товаров на странице:
Код заказа
Фото В корзину
Серия
Семейство
D
Метод выращивания
Тип проводимости, легирующая примесь
Ориентация
Подвижность носителей
Концентрация свободных носителей
Сопротивление
Плотность ямок травления (EPD), менее
Полировка
Применение
Код заказа
MGGaAs2NSiPE-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs2NSiPE-500LD
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs2NSiPP-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs2NSiPP-500LD
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs2PZnPE-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs2PZnPP-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs2SIUPP-8000ME
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs3NSiPE-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs3NSiPE-500LD
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs3NSiPP-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs3NSiPP-500LD
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs3PZnPE-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs3PZnPP-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs3SIUPP-8000ME
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs4NSiPE-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs4NSiPE-500LD
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs4NSiPP-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs4NSiPP-500LD
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs4PZnPE-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
MGGaAs4PZnPP-5000LED
Array
(
    [ID] => 676173
    [NAME] => МГ Полупроводниковые материалы
    [URL] => /manufacturers/mg-poluprovodnikovye-materialy/
)
МГ Полупроводниковые материалы
Фото В корзину
Серия
Семейство
D
Метод выращивания
Тип проводимости, легирующая примесь
Ориентация
Подвижность носителей
Концентрация свободных носителей
Сопротивление
Плотность ямок травления (EPD), менее
Полировка
Применение
MGGaAs
GaAs подложка
2  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
односторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
2  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
500  см-2
односторонняя
лазерные диоды
MGGaAs
GaAs подложка
2  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
двухсторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
2  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
500  см-2
двухсторонняя
лазерные диоды
MGGaAs
GaAs подложка
2  дюйм
VGF
p-типа, Zn-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
односторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
2  дюйм
VGF
p-типа, Zn-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
двухсторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
2  дюйм
VGF
полуизолирующий, нелегированный
(100)±0.5°
>5000  см2/В*с
-  см-3
>1E7  Ом*см
8000  см-2
двухсторонняя
микроэлектроника
MGGaAs
GaAs подложка
3  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
односторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
3  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
500  см-2
односторонняя
лазерные диоды
MGGaAs
GaAs подложка
3  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
двухсторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
3  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
500  см-2
двухсторонняя
лазерные диоды
MGGaAs
GaAs подложка
3  дюйм
VGF
p-типа, Zn-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
односторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
3  дюйм
VGF
p-типа, Zn-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
двухсторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
3  дюйм
VGF
полуизолирующий, нелегированный
(100)±0.5°
>5000  см2/В*с
-  см-3
>1E7  Ом*см
8000  см-2
двухсторонняя
микроэлектроника
MGGaAs
GaAs подложка
4  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
односторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
4  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
500  см-2
односторонняя
лазерные диоды
MGGaAs
GaAs подложка
4  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
двухсторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
4  дюйм
VGF
n-типа, Si-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
500  см-2
двухсторонняя
лазерные диоды
MGGaAs
GaAs подложка
4  дюйм
VGF
p-типа, Zn-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
односторонняя
LED
MGGaAs
GaAs подложка
4  дюйм
VGF
p-типа, Zn-легированный
(100)2°/6°/15° к (110)
1500-3000  см2/В*с
(0.4-2.5)E18  см-3
(1.5-9)E-3  Ом*см
5000  см-2
двухсторонняя
LED
GaAs (арсенид галлия) является еще одним важным полупроводниковым материалом, который часто используется в электронике и оптоэлектронике. GaAs подложки представляют собой основу, на которую могут быть выращены тонкие слои других полупроводников или полупроводниковых структур, таких как транзисторы, диоды и лазеры.

Особенности GaAs подложек:

Вопрос-ответ