GaAs подложки
Всего товаров: 21
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
2 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
односторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
2 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
500 см-2
|
односторонняя
|
лазерные диоды
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
2 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
двухсторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
2 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
500 см-2
|
двухсторонняя
|
лазерные диоды
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
2 дюйм
|
VGF
|
p-типа, Zn-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
односторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
2 дюйм
|
VGF
|
p-типа, Zn-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
двухсторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
2 дюйм
|
VGF
|
полуизолирующий, нелегированный
|
(100)±0.5°
|
>5000 см2/В*с
|
- см-3
|
>1E7 Ом*см
|
8000 см-2
|
двухсторонняя
|
микроэлектроника
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
3 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
односторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
3 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
500 см-2
|
односторонняя
|
лазерные диоды
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
3 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
двухсторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
3 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
500 см-2
|
двухсторонняя
|
лазерные диоды
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
3 дюйм
|
VGF
|
p-типа, Zn-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
односторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
3 дюйм
|
VGF
|
p-типа, Zn-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
двухсторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
3 дюйм
|
VGF
|
полуизолирующий, нелегированный
|
(100)±0.5°
|
>5000 см2/В*с
|
- см-3
|
>1E7 Ом*см
|
8000 см-2
|
двухсторонняя
|
микроэлектроника
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
4 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
односторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
4 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
500 см-2
|
односторонняя
|
лазерные диоды
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
4 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
двухсторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
4 дюйм
|
VGF
|
n-типа, Si-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
500 см-2
|
двухсторонняя
|
лазерные диоды
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
4 дюйм
|
VGF
|
p-типа, Zn-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
односторонняя
|
LED
|
|
|
|
MGGaAs
|
GaAs подложка
|
4 дюйм
|
VGF
|
p-типа, Zn-легированный
|
(100)2°/6°/15° к (110)
|
1500-3000 см2/В*с
|
(0.4-2.5)E18 см-3
|
(1.5-9)E-3 Ом*см
|
5000 см-2
|
двухсторонняя
|
LED
|
Настройки
Отображение колонок
GaAs (арсенид галлия) является еще одним важным полупроводниковым материалом, который часто используется в электронике и оптоэлектронике. GaAs подложки представляют собой основу, на которую могут быть выращены тонкие слои других полупроводников или полупроводниковых структур, таких как транзисторы, диоды и лазеры.
Особенности GaAs подложек:
Особенности GaAs подложек:
Новости
29 ноября 2023
Правительство Китая с 1 августа ввело контроль за экспортом галлия, необходимого для производства чипов и полупроводников.
31 августа 2023
С 1 августа 2023 года правительством Китая были введены ограничения экспорта соединений галлия (GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs и InSb и др.), применяемых для производства полупроводниковых чипов.
25 июля 2022
Компания Макро Групп начала сотрудничество с поставщиком материалов для полировки полупроводниковых пластин – китайской компанией Grish Hitech.
22 декабря 2021
Компания Cosmo Ferrites выпускает на рынок специально разработанный с учётом требований индустрии преобразования энергии материал – CF295.
20 февраля 2019
Компания Nata Opto-electronic Material анонсировала запуск производства прекурсоров для ALD и CVD.
24 января 2019
Компания PAM-Xiamen расширила линейку своих керамических материалов, сделав доступными подложки, тигли и другие изделия из пиролитического нитрида бора (PBN).
21 января 2019
Компания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства структур синих лазерных диодов на квантовых точках на основе нитрида галлия (GaN).
28 мая 2018
Компания Wolfspeed (A Cree Company) прекращает производство подложек карбида кремния диаметром 3 дюйма. В производстве остаются SiC пластины диаметром 4 дюйма и больше.
22 декабря 2017
Компания Макро Групп стала официальным дистрибьютором производителя чистых веществ для производства микроэлектроники Nata Opto-electronic Material.