Добавить в корзину
Описание
Серия | YJS |
Конфигурация | Одиночный |
Тип транзистора | N |
Напряжение сток-исток | 100 В |
Напряжение срабатывания, типовое | 1,9 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJS12G10B.pdf
806.54 КБ
Технические характеристики
Корпус | SOP-8 |
Рассеиваемая мощность | 4,1 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 14,5 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 18 мОм |
Заряд затвора | 32 нКл |
Ток стока | 12 A |
Исполнение | Промышленное |