Добавить в корзину
Описание
Серия | YJQ |
Конфигурация | Одиночный |
Тип транзистора | P |
Напряжение сток-исток | -20 В |
Напряжение срабатывания, типовое | -0,62 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJQ55P02A.pdf
784.84 КБ
Технические характеристики
Корпус | DFN3333 |
Рассеиваемая мощность | 38 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±10 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 6,5 мОм |
Заряд затвора | 149 нКл |
Ток стока | -55 A |
Исполнение | Общее |