Добавить в корзину
Описание
Серия | YJQ |
Конфигурация | Одиночный |
Тип транзистора | P |
Напряжение сток-исток | -30 В |
Напряжение срабатывания, типовое | -1,8 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJQ50P03A.pdf
760.87 КБ
Технические характеристики
Корпус | DFN3333 |
Рассеиваемая мощность | 75 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±25 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 5 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 6,9 мОм |
Заряд затвора | 111,7 нКл |
Ток стока | -50 A |