Добавить в корзину
Описание
Серия | YJG |
Конфигурация | Сдвоенный |
Тип транзистора | N |
Напряжение сток-исток | 30 В |
Напряжение срабатывания, типовое | 1,6 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJGD45N03A.pdf
307.93 КБ
Технические характеристики
Корпус | DFN5060-8L |
Рассеиваемая мощность | 100 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 6,5 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 9 мОм |
Заряд затвора | 46 нКл |
Ток стока | 45 A |
Исполнение | Общее |