Добавить в корзину
Описание
Серия | YJG |
Конфигурация | Сдвоенный |
Тип транзистора | N |
Напряжение сток-исток | 30 В |
Напряжение срабатывания, типовое | 1,5 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJGD40N03A.pdf
569.07 КБ
Технические характеристики
Корпус | DFN5060-8L |
Рассеиваемая мощность | 21 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 7,2 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 11 мОм |
Заряд затвора | 23,6 нКл |
Ток стока | 40 A |
Исполнение | Общее |